理解GTEM小室的工作原理：
2007年5月10日 星期四
GTEM 小室中的电场强度与从N 型接头输入信号电压V 成正比，与芯板距底板垂直距
离h 成反比：
E = V/h
在50Ω 匹配的系统里，芯板对底板的电压与N 型接头的信号输入功率之间的关系满足
V =（RP）/2 =（50P）1/2
故场强
E =（50P）/2 h
如考虑实测值与理论值之间的差异，上式还应乘一个系数k，因此实际的电场强度是
E = k（50P）/2 h
从上式可见，若在GTEM 小室注入同样的功率，芯板的位置距底板的距离越近（h 值
越小），则可获得较大的场强；若产生同相的场强，较大空间处（h 值越大）需要的输入功
亦较大。
上述结论表明，对于较小的试品，我们可以把试品放在GTEM 小室中比较靠前的位置，这样用比较小的信号输入功率，就可以得到足够高的电场强度。
发贴者Honkin 时间： 13:52:00
2 评论:
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好专业的东东~
呵呵,毕业设计